Samsung mit neuer Speichertechnologie

RamSamsung ließ heute via Pressemitteilung verlautbaren, dass man einen ersten funktionsfähigen Prototypen des so genannten "Phase-chande" Speichermoduls (aka PRAM) gefertigt hat. Die Technologie - über welche momentan noch nicht sehr viel bekannt ist - soll die Vorteile von Flash-Speicher und herkömmlichen RAM verbinden. Das von den Koreanern gezeigte Engineering-Sample verfügt über eine Kapazität von 512 MiBit und kann dank der Fähigkeit neue Daten zu schreiben, ohne gespeicherte vorher löschen zu müssen, extrem hohe Übertragungsraten erzielen. Samsung spricht von einer 30-mal schnelleren Performance gegenüber NOR-Flash und einer zehnmal längeren Lebensdauer. Nicht genug der Vorteile, soll auch die Herstellung deutlich einfacher sein, da die Zahl der notwendigen Produktionsschritte um 20 Prozent gesenkt werden konnte. Mit einer Markteinführung wird in Unternehmenskreisen nicht vor Ende 2008 gerechnet.

Dass die Einführung von neuen Speichertechnologien nicht immer von Erfolg gekrönt ist, musste Rambus Inc. schmerzhaft mit seiner RDRAM-Technologie feststellen. Natürlich kann man dem Speicherspezialisten nicht alleine die Schuld in die Schuhe schieben, denn Intel hat auch seinen Teil dazu beigetragen; dennoch bedeuteten der horrende Preis und die mangelnde Verfügbarkeit, gepaart mit der nur leicht besseren Performance gegenüber DDR-RAM, das baldige Ende.


Kommentar schreiben

  • Loggen Sie sich oben mit ihren Benutzerdaten ein, um Kommentare zu verfassen.
  • Falls Sie noch kein Mitglied sind, können Sie sich in unserem Forum registrieren.

0 Kommentare