Intel mit neuem Tri-Gate-Transistor

IntelEinen weiteren Schritt zu kleineren Fertigungsprozessen, schnelleren Prozessoren und weniger Stromverbrauch, kündigte Intel bereits vergangene Woche in Japan an, allerdings ohne konkrete Details zu nennen, welche jetzt nachgeliefert wurden. Intel spricht von der Ära dreidimensionaler Transistoren. Bisher waren Transistoren zweidimensional angeordnet und hatten auch lediglich ein Gate. AMD stellte vor nicht allzu langer Zeit Transistoren mit zwei Gates vor, welche allerdings ebenfalls zweidimensional blieben. Doch was genau ist ein Gate? Im Prinzip nichts anderes als ein Verbindungsstück zum so genannten Source, was, grob gesagt, z.B. die Steuerungseinheit eines Prozessors ist. Über die Gates wird ein Stromimpuls geschickt, das dem Transistor sagt, welchen zustand es erreichen soll. Also 1 oder 0, Ein oder Aus. In zukünftigen, kleineren Fertigungsverfahren - man redet hier von Produktionsverfahren ab 30nm - werden die Leckströme derzeitiger zweidimensionaler Gates zu groß sein und die Wärmeentwicklung zu hoch, um dieses Produktionsverfahren wirklich zu verwenden. Dabei darf allerdings die Bauweise nicht mit der Gatelänge verwechselt werden. AMD und IBM haben eine Gatelänge von 10nm vorgestellt, die aber für ein 45nm Fertigungsverfahren bestimmt ist. Die Gatelänge von Intel liegt hier parallel zum Fertigungsverfahren des Source, ergo bei 30nm. Die Größe des Fertigungsverfahrens bezieht sich hierbei auf den Source, also den gesamten Chip.

Durch Intels neue Tri-Gate-Transistoren soll sich dies ändern. Der dreidimensionale Aufbau gleicht unter dem Rasterelektronenmikroskop einem Gebirge mit senkrecht abfallenden Seitenwänden und scharfen Kanten. Der Vorteil hier ist, das man Strom auch über diese Seitenwände leiten kann, und das über alle drei Verbindungen, so dass die genannten Leckströme nahezu verhindert werden. Dadurch dass man hier den Transistor über drei Wege ansprechen kann, wird nicht nur weniger Strom zur Anteuerung verbraucht, sondern im gleichen Zug die Wärmeentwicklung verringert. Denn eine höhere Strommenge über eine einzelne Leitung wird - logischerweise - wärmer.

Doch was genau bedeutet dies für uns als Anwender? In Moment erst mal nichts, da Intel mit dieser Technologie erst Mitte 2007 auf den Markt kommen möchte und bis dahin die Bauweise der Gates noch etwas verkleinern will. Allerdings können wir dann davon ausgehen, dass wir höhere Taktraten der Prozessoren sehen werden, mit geringerer Wärmeabgabe und einem gesenkten Stromverbrauch. Aber nicht nur das. Derzeit entwickeln nahezu alle Chiphersteller an ähnlichen Verfahren, welche nicht nur bei Prozessorenm, sondern ebenfalls bei sämtlichen Arten von Chips verwendet werden sollen. Also auch bei Ram-Bausteinen und dergleichen. Das verspricht eine rosige Zukunft mit hoffentlich geringeren Stromkosten.


Kommentar schreiben

  • Loggen Sie sich oben mit ihren Benutzerdaten ein, um Kommentare zu verfassen.
  • Falls Sie noch kein Mitglied sind, können Sie sich in unserem Forum registrieren.

0 Kommentare