Globalfoundries: EUV-Lithografie ab 2015

AMDGlobalfoundries, hervorgegangen aus AMDs eigenen Chipfabriken sowie der arabischen Investmentfirma ATIC (Advanced Technology Investment Company), hat sich nun zu den hauseigenen Plänen im Bezug auf die EUV-Lithografie geäußert.

Unter EUV-Lithografie (EUVL) – Extrem-UltraViolette Strahlung – versteht man den Einsatz von Strahlungsquellen mit einer Wellenlänge von etwa 13,5 nm. Bisher werden in der Chipfertigung Strahlungsquellen mit 193 nm Wellenlänge benutzt, diese können also dem unteren UV-Bereich zugeordnet werden. Der Vorteil von EUV ist die Möglichkeit, Strukturgrößen von 16 nm oder kleiner kostengünstiger zu fertigen als mit bisherigen Verfahren - zumindest nach den Plänen der Industrie.
Aktuell wird es immer schwieriger, mit dem im Vergleich zu den zu fertigenden Strukturen langwelligen Licht zuverlässig zu fertigen. Die Produzenten greifen immer tiefer in die Trickkiste und nutzen beispielsweise das Double-Patterning-Verfahren, bei dem der Wafer erst einfach belichtet wird (zum Beispiel mit 65 nm-Strukturen), anschließend der Träger um die halbe Wellenlänge (in diesem Fall circa 32 nm) verschoben und nochmals belichtet wird. Somit lassen sich Strukturen von 32 nm und kleiner überhaupt noch mit aktuellen Verfahren fertigen. Die Genauigkeit ist dabei weniger das Problem als vielmehr die doppelt so lange Belichtungsdauer je Wafer – und damit auch höhere Produktionskosten.

EUV-Lithographie Tool von ASML

EUV-Lithographie benötigt (vorerst) keine solcher „Tricks“ und kann so unter Umständen die Fertigungskosten gar senken. Dies erschien bis vor nicht allzu langer Zeit undenkbar, gilt es doch noch jede Menge Hürden zu überwinden. So ist zur Erzeugung von EUV-Strahlung ein Plasma erforderlich, welcher in der Chipfertigung durch Laser induziert und betrieben wird. Die entsprechenden Laser müssen leistungsstark genug sein, um etwa 100 Wafer je Stunde belichten zu können, andernfalls wird EUV-Lithographie keine rosige Zukunft voraus gesagt. Aktuell werden in ersten EUVL-Test-Tools der Firma ASML 100 Watt-Laser verbaut. Um über 100 Wafer je Stunde produzieren zu können, will ASML in den finalen Tools 200 Watt-Laser verbauen, deren Entwicklung allerdings auch noch nicht abgeschlossen ist.

Zu den ersten Kunden besagter Pre-Production-Tools, derer es 2010 planmäßig sechs geben soll, gehören laut EETimes: Hynix, IMEC, Intel, Samsung und Toshiba. Auch TSMC hat Interesse gezeigt und Anfang des Jahres das letzte Tool geordert, welches eigentlich für ASMLs hausinterne Entwicklung gedacht war.

Globalfoundries plant erste Tests mit EUVL-Tools für Ende 2012 ein. Der Zeitverzug von etwa zwei Jahren kommt durch den Bau der neuen Fabrik 8 in New York zustande, in welcher die Test- und später auch Serienproduktion stattfinden soll. Die Volumenproduktion soll im Jahr 2014 bis 2015 starten und somit planmäßig etwa zeitgleich mit der von Intel - wahrscheinlich in einem 16/15 nm-Prozess.


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1 Kommentar

1.) core 23.07.2010 - 22:35 Uhr
Quote:
bei dem der Wafer erst einfach belichtet wird (zum Beispiel mit 65 nm-Strukturen), anschließend der Träger um die halbe Wellenlänge (in diesem Fall circa 32 nm) verschoben und nochmals belichtet wird. Somit lassen sich Strukturen von 32 nm und kleiner überhaupt noch mit aktuellen Verfahren fertigen.


crazy!
....15/16nm was da wohl für GPU´s CPU´s & RAM´s bei rauskommen werden? :shock: