Samsung fertigt 20 nm-Flashzellen

SpeichermedienNachdem erst vor knapp einem Jahr die Produktion von Flash-Chips der 30 nm-Generation bei Samsung angelaufen ist, hat der Hersteller nun erste Samples der 20 nm-Generation präsentiert, die zunächst Größen von 32 Gbit (4 GiB) pro Die erreichen sollen. Das Joint-Venture von Intel und Micron IM-Flash wird für seine ab dem 4. Quartal geplante 25 nm-Generation dagegen schon 64 Gbit (8 GiB)-Chips fertigen. Die neuen MLC-Chips von Samsung speichern 2 bits pro Zelle, was den Schreibaufwand gegenüber den kürzlich vorgestellten 3 bit-Versionen deutlich reduziert und so die zufälligen Schreibraten erhöht.

Samsung - 20 nm Flash

Zum einen dürfte durch die neue Fertigung der Stromverbrauch sinken, andererseits erlaubt eine geringere Fertigungsgröße im Normalfall auch eine allgemeine Vergrößerung der Speicherkapazitäten. Dafür müssten allerdings später auch 64 Gbit-Chips vom Band laufen. Vielleicht will Samsung hier aber abwarten, bis die Fertigung ausgereifter ist. Es fehlen derzeit allerdings Hintergründe zum Fertigungsverfahren ebenso wie Größenangaben. IM-Flash wird für die 25 nm-Generation auf Immersions-Lithografie und Double-Patterning-Verfahren setzen.
Derzeit liefert Samsung erste 8 GiB-SD-Karten an die Hersteller aus, die eine 30 Prozent höhere Schreibgeschwindigkeit bieten sollen als die Vorgängerkarten mit Flashzellen der 30 nm-Generation.

Für die Nutzer bedeuten neue Fertigungsverfahren vor allem höhere Kapazitäten bei den Speicherkarten und SSDs. Billiger werden die SSDs dadurch nicht notwendigerweise, wie man derzeit angesichts der verhältnismäßig hohen Preise für 32 GiB große SSDs sieht.


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