Intel bei 10 Nanometern seiner Zeit voraus

IntelDie International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) steht kurz bevor. Doch schon jetzt hat der blaue Chipriese Intel Informationen über derzeitige und künftige Fertigungsprozesse nach außen getragen und strotzt dabei vor Selbstbewusstsein.

Intel hat als weltweit erster Hersteller den Switch zu 14 Nanometern gemeistert. Doch Samsung hat sich an Intels Fersen geheftet und angekündigt, schon in wenigen Wochen, ebenfalls die Massenproduktion eines 14 Nanometer-Verfahrens hochzufahren. Angesichts dieser Entwicklung und vor dem Hintergrund, dass man nunmehr auch als Auftragsfertiger verstärkt fungieren möchte, hat es sich Intel nicht nehmen lassen, eine ursprünglich nur für Analysten bestimmte Präsentation auch der Öffentlichkeit zukommen zu lassen. Diese stellt den Intel 14 Nanometer-Prozess im Vergleich zu Samsungs 14 Nanometer-Prozess sowie TSMCs 16 Nanometer-Prozess dar. Anhand der ausgewiesenen Fertigungsgrößen der Fin- und Gate-Pitch sowie dem Interconnect-Pitch soll deutlich werden, dass der Intel-Prozess der Überlegenste ist.

14 Nanometer ist bei Intel aber zumindest entwicklungstechnisch schon kalter Kaffee. Man widmet sich derzeit akribisch den nachfolgenden Fertigungsverfahren. Mark Bohr, Intel Senior Fellow für das Logic Technology Department, ließ dabei durchblicken, dass die Entwicklung des nächsten Verfahrens (10 Nanometer) hervorragend verlaufe, man aus den Fehlern bei 14 Nanometern gelernt habe und gut 50 Prozent schneller voran komme als bei 14 Nanometer. Gleichzeitig verriet er aber auch, dass die Kosten für Forschung und Entwicklung mit fortschreitenden Prozessen immer teurer würden.

Ein Alternative zu der stetigen Minaturisierung könnten 2,5D- und 3D-Produkte sein, die mehrere Chips wie beispielsweise CPU und GPU in einem Package vereinen. Bei Intel fällt hier ganz konkret das ehemalige Larrabee-Projekt Knights Landing. Ihnen könnte die Zukunft gehören.

Nach 10 Nanometern sollen 7 und 5 Nanometer folgen. Ersteren plant Intel noch ohne die aufwändige EUV-Lithografie umzusetzen, da die Entwicklung hier noch zu langsam voran schreitet. Weitere Details sind auf der ISSCC zu erwarten.


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