Hynix: Massenproduktion von 20 nm-NAND-Flash

SpeichermedienHalbleiterhersteller Hynix, ein Winzling im Vergleich zu Samsung und Toshiba auf dem Nand-Flash-Markt, verkündet den Start der Massenproduktion von 64 Gb NAND-Flash-Chips im 20 nm-Fertigungsverfahren in der Fabrik M11 in Cheo Ngju.

32 Gb-Nand-Flash-Chips werden von Hynix weiterhin im 30 nm-Fertigungsprozess gefertigt, für die man auch einen Controller von Anobit verifiziert hat. Auch die neuen 64 Gb-Nand-Flash-Chips sollen bis September 2010 mit dem Controller validiert werden. Anobit ist für viele sicherlich unbekannt, was vor allem wohl daran liegt, dass deren Controller auf den Smartphone-, tragbare Media Player- und Hand Held-Markt abzielt. Mit den 64 Gb-Chips wird man hier also in Zukunft öfters größere Kapazitäten vorfinden.

Hynix Nand-Flash-Chips vor Wafer in 20 nm-Fertigung

IM Flash Technologies, ein Joint Venture-Unternehmen von Intel und Micron, hat bereits im Februar die Massenproduktion von 25 nm-NAND-Flash angekündigt. Im April wurde bekannt, dass Toshiba in der zweiten Jahreshälfte 2010 die Herstellung von NAND-Flash in 20- bis 29 nm-Verfahren anpeilt. Ebenfalls im April stellte Samsung 20 nm-NAND-Flash vor, nannte jedoch keinen Termin für den Start der Massenproduktion.


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