Samsung mit 30 nm-RAM bei 2133 MHz

RamSamsung hat gestern bekannt gegeben, dass man derzeit die Massenproduktion neuer Speicherchips der "30 nm-Klasse" startet. Bemerkenswert sind dabei die enomren Taktsteigerung bei Standardspannung, womit der Speicher einerseits schneller wird, andererseits aber auch sparsamer arbeiten kann.

Bei 1,5 Volt sollen so bis zu 2133 MHz möglich sein, bei Stromspar- und Servermodulen mit 1,35 Volt sollen es immerhin noch bis zu 1866 MHz sein. Damit wäre der Speicher bis zu 1,6-mal so schnell wie die bisher gefertigten 50 nm-Module. Momentan werden die 30 nm-Chips noch in Größen von 2 Gb gefertigt, was rechnerisch für Desktopmodule bis 4 GiB und Servermodule bis 16 GiB reicht. Bis Ende des Jahres sollen aber auch 4 Gb-Chips vom Band laufen. Für den Serverbereich sind dann bis zu 32 GiB pro Modul möglich.

Samsung rechnet für Server mit Energieeinsparungen von bis zu 20 Prozent gegenüber dem bisherigen 50 nm-RAM, wobei die Aussage "Power savings for most new server applications using 30nm DDR3 will be about 20% greater than applications that use 50nm-class DDR3" etwas unscharf ist.
Für den Desktopbereich vergleicht Samsung ein 4 GiB-Modul des neuen Speichers mit zwei 2 GiB-Modulen in 50 nm-Bauart und erklärt, dass dabei die theoretische Leistung des Speichers um 60 Prozent steigen soll, während der Energieverbrauch um 65 Prozent sinkt. Hier wird man konkrete Tests abwarten müssen, die derartige Aussagen überprüfen. Fest steht, dass Samsung mit dem neuen Speicher Maßstäbe setzt, die angesichts der geplanten, langen Lebensdauer von DDR3 auch nötig sind. Samsung hatte die ersten DDR3-Speicherchips Mitte 2006 noch im 80 nm-Verfahren hergestellt und war dann Anfang 2009 auf 50 nm-Strukturen umgestiegen.
Ein großer Vorteil für Samsung, von dem der Kunde zunächst nicht unmittelbar etwas bemerkt, sind die verkleinerten Strukturen, wodurch mehr Chips als bisher auf den Wafer passen und so für Samsung auf Dauer die Herstellungskosten sinken.

Interessant dürfte der neue Speicher beispielsweise für die im kommenden Jahr erscheinenden Fusion-Prozessoren von AMD sein, die offiziell DDR3 bis 1866 MHz unterstützen. Denn eines der großen Fragezeichen gerade bei der größeren Fusion-APU Llano, deren GPU-Teil wohl mit etwa 400 Shadereinheiten daherkommt, besteht hinsichtlich des Speicherdurchsatzes. Da CPU und GPU gemeinsam an den Hauptspeicher angebunden werden, könnte hier schnell ein Flaschenhals bei der Bandbreite entstehen.


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3 Kommentare

3.) core 22.07.2010 - 20:31 Uhr
Ich befürchte fast die werden wohl erstmal bissel Gewinn einheimsen... ;)
2.) Luk Luk 22.07.2010 - 14:42 Uhr
Ich hoffe mal eher, dass durch die Verkleinerung auch der Preis auf Dauer sinken wird, denn ich denke, dass Samsung dort jetzt deutlich mehr Spielraum hat...
1.) Flamingdart 22.07.2010 - 12:12 Uhr
Ich denke die Preise für diese neuen Speicher werden extrem hoch sein, besonders bei den sehr hohen Taktungen.