22 nm-Fertigungsprozess und darunter bei TSMC

ForschungNach der letzten News über die aktuelle Fertigung hat sich vielleicht der eine oder andere gefragt, welche Pläne TSMC über 40 nm hinaus hat. Erste Details sind jetzt durchsickert.

Nach dem 28 nm-Prozess, welcher noch Ende September dieses Jahres vorgestellt werden soll, soll wieder etwas Ruhe einkehren. Erst für das dritte Quartal 2012 ist nach bisheriger Roadmap der nächste High-Performance 22/20 nm-Prozess geplant, der entsprechende Low-Power–Prozess gar erst für das erste Quartal 2013. Auch hier wird man aller Voraussicht nach weiterhin die übliche Immersionslithografie mit elektromagnetischer Strahlung („Licht“) mit 193 nm-Wellenlänge und Double-Pattering-Verfahren nutzen.

Danach wird es aber richtig spannend, so forscht TSMC mit seinen Partnern sowohl an Elektronen-Direkt-Schreibverfahren als auch an EUV-Lithografie, um noch kleinere Fertigungsstrukturen realisieren zu können und will eins davon einsetzen, sobald eine dieser Technologien reif und dabei hinreichend kosteneffizient ist.

Der Anlagebauer ASML hat bereits im letzten Jahr angekündigt, seine EUVL-Fertigungssysteme auszuliefern. TSMC gehört nun zu den ersten Kunden. Bereits die Kosten für eine einzige EUV-Anlage sind enorm, rund 80 Millionen US-Dollar musste TSMC dafür auf den Tisch legen, ist nun aber in der Lage, Forschung und Entwicklung für einen zukünftigen Prozesses mit dieser Technologie zu betreiben. ASML selbst ist in Forschungsprojekte mit unabhängigem Forschungsinstitut IMAC involviert und ist im Februar 2010 auch dem globalem Konsortium der Halbleiterhersteller „Sematech“ beigetreten, um am „College of Nanoscale Science and Engineering’s (CNSE) Albany NanoTech Complex“ für weitere Entwicklung der EUV-Lithografie beizutragen.

Parallel dazu forscht TSMC mit dem Forschungsinstitut "Leti" am Elektronen-Direktschreibverfahren, bei welchem die Strukturen von multiplen Elektronen-Strahlen direkt auf dem Wafer „gezeichnet“ werden, anstatt diese über eine Maske zu belichten. Inzwischen ist auch STMicroelectronics dem für drei Jahre angesetzten Programm von Leti und TSMC beigetreten. Erst kürzlich vermeldete TSMC zudem, dass eine pre-alpha MAPPER Anlage in TSMCs Fab 12 wiederholt Strukturen gezeichnet hat, welche mit aktueller Immersionslithografie unerreichbar seien. Genau Ergebnisse wollten TSMC und MAPPER aber erst auf der SPIE Advanced Lithography 2010 Conference in San Jose vorstellen.


Kommentar schreiben

  • Loggen Sie sich oben mit ihren Benutzerdaten ein, um Kommentare zu verfassen.
  • Falls Sie noch kein Mitglied sind, können Sie sich in unserem Forum registrieren.

0 Kommentare