Intel-Micron mit 25 nm Flash in Q4/2010

UnternehmenIntel und Micron haben angekündigt, ab dem vierten Quartal 2010 die 25 nm-Produktion von MLC-NAND-Speicher mit 2 Bits pro Zelle zu starten. Damit werden doppelt so hohe Kapazitäten bei Flash-basierten Medien wie derzeit möglich. Verbaut werden die neuen Produkte vor allem in SSDs.

IM Flash - 25nm-NAND-Flash 64Gbit

Intel und Micron kooperieren seit 2006 in dem Joint Venture IM Flash Technologies, das einer der führenden Flash-Hersteller ist. Mit der Ankündigung der 25 nm-Fertigung ab dem vierten Quartal baut man nun den technologischen Vorsprung gegenüber den Konkurrenten Samsung und SanDisk-Toshiba aus, die eine Fertigung in 30 und 32 nm-Strukturbreiten angekündigt hatten.

IM Flash - 34nm-NAND-Flash 32Gbit

Um die verkleinerten Strukturbreiten zu schaffen, setzt IM-Flash auf Immersion-Lithografie und Double-Patterning-Verfahren. Intel setzt auch für seine 32 nm-CPUs inzwischen auf Immersion-Lithografie und dürfte maßgeblich das Know-How für den neuen Prozess geliefert haben. Die neuen Chips benötigen für die doppelte Menge Speicherplatz (64 GBit - 167 mm²) sogar etwas weniger Fläche als ihre Vorgänger in 34 nm (32 GBit - 172 mm²). Gegenüber den kürzlich angekündigten 32 nm-Flash-Bausteinen und den Konkurrenten Samsung und SanDisk-Toshiba setzt IM-Flash hier auf 2 Bits pro Zelle, nicht 3, was den Schreibaufwand etwas reduziert.


Kommentar schreiben

  • Loggen Sie sich oben mit ihren Benutzerdaten ein, um Kommentare zu verfassen.
  • Falls Sie noch kein Mitglied sind, können Sie sich in unserem Forum registrieren.

0 Kommentare