Dem IDF voraus lobt Intel seine 32 nm-Fertigung

Als Vorgeschmack auf das Intel Developer Forum (IDF), das am am 22. September 2009 in San Fransisco beginnt, stellte Intel in seinem „IDF Connected“-Blog die größten Vorteile des neuen 32 nm-Prozesses mit High-K-Metal-Gate-Technik der zweiten Generation in einem Video und in einer zusammenfassenden PDF-Datei vor.

Bis jetzt hat Intel nach eigenen Angaben über 200 Millionen 45 nm-HKMG-CPUs seit November 2007 ausgeliefert. Beim neuen Prozess, bei dem Intel erstmals die Immersionslithografie nutzt, wurde der Abstand zwischen den einzelnen Gates ("gate pitch") um 30 Prozent auf 112,5 nm verringert. "Gate pitch" ist ein Maß für die Transistordichte; durch den verringerten Abstand zwischen den Transistoren wird eine höhere Transistordichte erreicht, was mehr Transistoren auf einem Wafer erlaubt.

Auch bei der Performance sollen die neuen 32 nm-Transistoren sich laut Intel nicht hinter den 32 nm- und 28nm-Transistoren der Konkurrenz verstecken müssen, ganz im Gegenteil. Im Vergleich zu aktuellen 45 nm-Transistoren sollen beim neuen Prozess die NMOS-Transistoren um 19 Prozent performanter agieren und die PMOS-Transistoren gar um 28 Prozent. Die 32 nm-CPUs machen bereits ihre Runden durch die Fabrik und sollen wie geplant im vierten Quartal in die Massenfertigung übergehen.

Neben diesem für CPUs entwickelten Prozess stellte Intel auch kurz seinen ersten extra für SOCs (System on Chip) vorgesehen Prozess vor, der Ultra-Low-Power-Transistoren auf High-K-Metal-Gate-Technik und High-Voltage-Transiostren für I/O beinhaltet. Zudem beinhaltet der neue Prozess speziell für SOCs nötige passive Elemente wie Widerstände, Kondensatoren und Induktoren. Mehr Details zu Produkten sind auf dem IDF zu erwarten.